以前の8バンドトランシーバは2ＳＫ408/409が入手できたので、パラレルプッシュプルで５０Ｗを実現しました。しかし、この石は製造中止後かなりの時間がたっており、レアもので入手が困難です。個人的にはストックがありますが、８バンドＴＲＸ用に取っておくため、新たに使用するのは勇気が要ります。トランジスタもいいのでしょうが、ＩＭＤ特性を考えるとＦＥＴのほうが使いやすいため、ここは、私の作品のあちこちで使っているＶＮ６６ＡＦＤをＰＡに利用することにしました。もっとも、この石も国内では入手できませんが、まだ、海外からなら安く買い入れができます。私はＵＫの販売店で４０個ばかりまとめて入手しました。ドレイン損失Ｐｄが15Ｗと小さいのでシングルプッシュプルで１０-１５Ｗ程度が限界です。また、若干高いＶｄ（24Ｖ以上）が必要になります。

さて、この石をＰＡに使うと、ミクサー後のバンドパスアンプの出力（-５ｄＢｍ程度を想定）から、３５ｄＢ程度のゲインを持つドライブ段が必要になります。これは、５０ＭＨｚまでの帯域を1段でカバーするのは無理なので、プリドライブ、ドライブ段の２段アンプ構成とします。さて、その石ですが、通常は１Ｗ出力には2ＳＣ1970，その前段には2ＳＣ1973や２ＳＣ2053クラスの石を用いるのが普通でしょう。しかし、この構成だと、丁度ぴったりのレベルダイヤになるため、ＩＭＤがあまりよくありません。２ＳＣ１９７０クラスで１Ｗ時−２０ｄＢくらいでしょう。これでは、終段がひずむ前にドライバでＩＭＤ劣化が起こります。

そこで、今回は贅沢とも言える構成にしてみました。ドライバーにパワーと利得の取れる２ＳＣ１９７１のＮＦＢ付き、プリドライバーも2ＳＣ1426のＮＦＢアンプというラインアップです。この構成でドライバー出力１Ｗ時に−４０ｄＢ以下のＩＭＤ特性が実現できます。終段がひずみはじめるまでは（あたりまえですが）ドライバーで大きくひずむことは有りません。トータルで利得も３５ｄＢat５０ＭＨｚ程度実現できます。下図（真中）に１Ｗ時のＩＭＤ特性を示します。

このあとは、ＶＮ66ＡＦＤのファイナルです。Ｖ−ＭＯＳはあまり効率がよくないのですが、たまたま、手元に潤沢にあるという理由で選択したので、ＩＭＤに関してはあまり自信がありませんでした。以下の構成で、１０Ｗ時−３４ｄＢの特性を実現しています。下図の右のスペクトラムを参照ください。自作広帯域アンプとしては、平均的なＩＭＤ特性でしょう。本当はファイナルもＮＦＢをかけたかったのですが、そうすると、５０ＭＨｚ帯で利得が足りなくなりそうなので止めにしておきました。（この点は２ＳＫ４０８/４０９のほうが使いやすそうです）

　本当は、このように、一段一段を分離して作るのは効率が悪いのですが、一方、動作を確実に把握できますので、いろいろ勉強になることは確かです。（いかにもアマチュア的ですが）

送信系回路図
上図の指定無きＣは０.０２μＦ50Ｖ　　但し、Ｆｉｎａｌ回路の出力側は０.０２μＦパラを２個シリーズにしています。

　　　　　　
各段の２トーン入力時出力スペクトラム
左：２ＳＣ１４２６出力（8ｄＢｍ）
中：2ＳＣ1426−2ＳＣ1971出力（30ｄＢｍ）
右：2ＳＣ1426-2ＳＣ1971-ＶＮ66ＡＦＤｐｐ出力（40ｄＢｍ）

周波数：50ＭＨｚ帯　　　レベルは-5ｄＢｍを2ＳＣ1426に入れている。ＶＮ66ＡＦＤの出力は10Ｗ時
2ＳＣ１９７１のアイドリング時Ｉｃは100ｍＡ　ＶＮ66ＡＦＤの同Ｉｄは３００ｍＡ近辺に設定



　プリドライバー/ドライバー(左）とファイナル段(右）
左に２ＳＣ1426と2ＳＣ１９７１のモジュール、右はＶＮ６６ＡＦＤのＰＰモジュールです。
当初はＶＮ６６×４（パラプッシュプル）でやろうと思っていましたが、どうも５０ＭＨｚで
利得が取れない（8-9ｄＢくらいになってしまう）ので、シングルＰＰに変えました。
４個のＶＮ６６ＡＦＤうち、２個は使っていません。

＜Ｐｒｅ-Ｄｒｉｖｅｒの変更＞　　【2005.4.24】

　３月から４月にかけて、ぱったりと半田ごての動きが止まってしまっていましたが、やっと、すこしずつ動かそうという気になってきました。このページは、なんと３年前に書いたところなので、我ながら気の長い工作をやってるなぁと感心するやらあきれるやら・・・・

　ところで、また上記のユニットをいじってるうちに、プリドライバーの余力が少ないことに気がつきました。周波数によっては歪みの発生が大きいところもあったため、もったいないのですが、プリドライバーとしては破格の大きさのＣ1970を持ってきてしまいました。

2SC1426の代わりに2SC1970を無理やり実装したドライバーユニット

　Ｃ1426を除いて、Ｃ1970を無理してつけたいのですが、Ｐ板の穴がないため、Ｃ1970をヒートシンクに付けられません。Ｃ1971のドライバー回路をばらすのも忍びなく、なんと、部品を実装したままで、カッターでＰ板をきざんで折ってしまいました。それで、ご覧のようにめでたくＣ1970がプリドライバーの位置に収まっています。回路はまったくドライバーと同じです。ただ、ドライバーのＮＦＢ抵抗を２００Ωにして、少し深くＮＦＢをかけてみました。

２ＳＣ１９７０（Pre)+２ＳＣ１９７１（Drv)の周波数特性
CF:50MHz SPAN:100MHz

　上図はＦ特性です。トータルで35ｄＢ程度を狙っています。下側の直線は、ＤＵＴがスルー時のＴＧ信号レベルです。ゲインは20-50ＭＨｚでちょっと膨らんで、50ＭＨｚから上はどんどん下がります。しかし、3.5-21ＭＨｚ近辺と50ＭＨｚで、35+/-1.5ｄＢ程度に収まってるのでまあ、よしとします。これで、ＮＦＢがないと、3.5ＭＨｚでは52ｄＢ以上、50ＭＨｚで38ｄＢと、とんでもないレベル偏差になります。いずれにしても、バンド切り替え時に、どこかのステージでゲイン補正をするのですが、レベル偏差が少なく、歪みも少ないと期待される、ＮＦＢ付のほうがいいと思います。

ＰＥＰ１Ｗ時のＩＭＤ特性
ＣＦ：50ＭＨｚ　ＳＰＡＮ：200ｋＨｚ　キャリア２−ｔｏｎｅは20ｋＨｚｾﾊﾟﾚｰｼｮﾝ
（ＡＴＴ使用）

　さすがに大馬力のトランジスタを軽く使ってるので、１Ｗｐｅｐ時、２ト−ン信号のうちシングルトーンから-45ｄＢ、ＰＥＰからなら51ｄＢという、良好なＩＭＤ特性になりました。まあ、1971は１Ｗで使うには、なんとももったいないのですが、大きな石を軽く使うほうが、ＩＭＤは良好な感じがします。しかし、レベルダイヤグラムは、歪みのことを考慮に入れるなら、２トーンのＰＥＰに対して歪みが○●ｄＢの時の入出力特性で考えていったほうがいいのかもしれません。